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【2h】

Effect of annealing on the structure and optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots

机译：退火对InGaas / Gaas量子点结构和光学性质的影响

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The change of phonon energies of annealed InGaAs/GaAs quantum dots (QDs), was observed using selectively excited photoluminescence. X-ray diffraction and optical anisotropy analysis shows that the QDs' structure mainly changes along the growth direction.

机译：使用选择性激发光致发光观察了退火的InGaAs / GaAs量子点（QDs）的声子能量的变化。 X射线衍射和光学各向异性分析表明，量子点的结构主要沿生长方向变化。

著录项

作者
Xu, Zhangcheng; Leosson, K.; Birkedal, Dan; Hvam, Jørn Märcher; Sadowski, I.; Zhao, Z.Y.; Chen, X.S.; Liu, Y.M.; Yang, K.T.;
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作者单位

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年度 2003
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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